介电质陶瓷及其制造方法及积层陶瓷电容器

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提供一种介电质陶瓷，其适於构成在还原性气氛中烧结而得到的积层陶瓷电容器中之介电质陶瓷层的介电质陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。; 本发明的介电质陶瓷，是以ABO3(A为Ba等，B为Ti等)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电质陶瓷，就构成其70％以上的晶粒21而言，观察其断面时，5~70％的截面积系由稀土元素固溶区域22所占据，10~80％的断面外周，由稀土元素未固溶区域23所占据。