一种太赫兹石及其制备方法

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一种太赫兹石及其制备方法，由以下重量份的原料制得：晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5，其制备方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物，继续升温至1750‑1790℃，立即停止供电，通过原料自身的反应快速升温，升温至2400‑2800℃后，再用稳电压加热，升温至3150‑3160℃后，熔炼结束，冷却定型，制得太赫兹石。采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石，在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。