一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法

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本发明公开了一种钛镍钴记忆合金膜的制备方法，该方法克服了现有的多孔TiNiCo形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷，本发明采用磁控溅射的方法，并采用低温轧制的手段，形成的稀土记忆合膜具有较高的屈服强度，使得膜表面均匀致密、膜基结合强度高、力学性能优良。