半导体装置及其制造方法

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根据一个实施例， 一种半导体器件，包括第一稀土氧化物层， 与第一稀土氧化物层相邻的第一磁性层， 以及非磁性层，所述第一磁性层设置在所述第一稀土氧化物层和所述非磁性层之间，并且在与所述非磁性层的晶体表面相同的晶体表面中取向。