薄膜晶体管、半导体基板和X射线平板探测器

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一种薄膜晶体管(TFT)包括：栅极(170)、有源层(SL)、位于栅极(170)和有源层(SL)之间的栅极绝缘层(160)、以及电连接到所述有源层(SL)的源极(181)和漏极(182)。有源层(SL)包括在堆叠方向上重叠设置的沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)，沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)每个的材料均为金属氧化物半导体材料。至少一个沟道保护层(PL1；PL2)为结晶层，且至少一个沟道保护层(PL1；PL2)的金属元素包括非稀土金属元素，所述非稀土金属元素包括In、Ga、Zn和Sn。这样，能够有效减少沟道层的缺陷，从而有效改善了薄膜晶体管的整体稳定性。