金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置

文件类型：PDF文档
文件大小：710K
一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置，薄膜晶体管设置有将有源层和源漏电极隔开的有源层保护层，有源层保护层为(MO)x(SnO2)y薄膜，其中0≤x< 1，0.4 ≤y≤1，且 x+y=1，M为硅、铝、镓、镁、钙、锶、铋、钽、铪、锆、钪、钇或镧系稀土元素中的一种或两种以上任意元素的组合。本发明实现了通过湿法背沟道刻蚀方式制备金属氧化物薄膜晶体管，具有制备工艺简单，所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好，成本低廉。具有该金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板和显示装置也具有稳定性好，成本低廉的特点。