一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法

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本发明涉及一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法，其化学式为Ga(1-x-y)RexAyN，Re为Ce3+、Pr3+、Nd3+、Pm3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+中的一种，A为B3+或Al3+，x为Re的含量，y为B3+或Al3+的含量，0.1%≦x≦10.0%，0.1x≦y≦x。将原料混合后在500～1000℃的真空石英管中保温8～16小时，研磨后再在1000～1150℃的氨气气氛中保温10～20小时，得到发光粉体材料。本发明改善了由于Re3+和Ga3+之间的半径失配而造成的晶格畸变，有效提高了GaN粉体材料的发光性能。