一种白光LED外延结构及其制造方法

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本发明提供一种白光LED外延结构及其制备方法，采用稀土元素掺杂的YAG透明陶瓷或单晶为衬底进行GaN基LED外延结构生长，外延结构自下而上包括：低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN阻挡层、P型GaN层和高掺杂p型GaN电极接触层，由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本。