一种连续式低温烧结高导热率AlN陶瓷的方法及其产品

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本发明涉及到微电子封装材料领域或陶瓷材料领域，尤其涉及到一种连续式低温烧结高导热率AlN陶瓷的方法及其产品。其AlN陶瓷由AlN粉体和添加剂进行烧结而成，所述的AlN粉体平均粒径为1.0～2.0μm，氧含量≤1.0％，添加剂由纳米AlN粉、烧结助剂和稀土金属氧化物组成，烧结助剂选自CaCO3和Li2CO3，稀土金属氧化物选自Y2O3、Sm2O3、Dy2O3、Nd2O3、Ho2O3和Er2O3，其中烧结助剂的含量为1～2wt％，纳米AlN粉的用量占总重量的5～10％，稀土金属氧化物的含量为1～3wt％。其有益效果是：通过超细的氮化铝粉体和助烧剂来提高氮化铝陶瓷的烧结性能，降低AlN陶瓷的烧结温度，使之可以在1450℃～1600℃温度范围内致密化烧结，还使得AlN陶瓷的热导率达170～220W/m.K。可在连续式氢氮气氛炉中烧结，提高生产效率，具有能耗低，产量大，成本低等优点。