ＳｉＣ单晶的制造方法

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一种SiC单晶的制造方法，其包括：将SiC晶种配置於石墨坩埚内之底部部分；使含有Si、C及R(R为选自包含Sc及Y之稀土元素的至少一者)或X(X为选自由Al、Ge、Sn、及排除Sc和Y之过渡金属所组成之群组的至少一者)之溶液存在该坩埚中；将该溶液过冷以使该SiC单晶在该晶种上生长；及从该石墨坩埚上方将粉状或颗粒状Si及/或SiC原料添加於该溶液，同时保持SiC单晶之生长。