用于半导体制造的石英玻璃元件及其生产方法

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本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件，该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1～3wt％的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始，为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件，按照本发明建议：第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。