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本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法,先在衬底上生长GaN缓冲 层,然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素的GaN薄膜,最后用掺锡氧化铟 制作透明电极后形成电致发光二极管。该电致发光二极管在施加一定的驱动电压 时,从反向偏压电极处可直接发出白光,克服传统发光二极管发光波长单一的缺 点。
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