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本发明公开了一种高硅铝基合金及其制备方法,其制备包括如下步骤:a.用纯Al、Si、 M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM,其中,M选自稀土、Nb、Fe、Cu、Zr、Ti、V或Cr, 5≤a≤60,0.1≤b≤10;b.将得到的预制合金Al-aSi-bM放入真空感应熔炼炉中,熔炼完 毕,再用氮-氩混合气体保护将熔融铝合金雾化成金属粉末;c.将得到的金属粉末放入球磨 机,采用氩气保护进行球磨;d.步骤c得到的粉末中掺加粘结剂;e.粉末放入热挤压机中 挤压成型;f.步骤e得到的合金进行多道次冷轧。采用本发明中的工艺方法,在获得优良 高导电率性能的高硅铝基合金的同时,大大简化工艺,降低成本,有利于批量化生产和应 用的推广。