高耐久性之白光发光二极体

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本发明系关於一种高耐久性之白光发光二极体, 其系以InGaN异质结为基础, 该异质结上涂有立方构造之稀土元素萤光粉, 该萤光粉可被铈啓动, 其特徵在於 : 该萤光粉中添加铥(Tm)离子, 并与Y、Gd、Ln、Ce离子以及铝的氧化物组成化学计量公式(Y1-x-y-z-pGdxLnyCezTmp)3???(Al2O3)5???, 且该萤光粉被半导体异质结蓝光激发时可辐射强烈黄光, 同时两种光混合形成了整体白光辐射。