薄膜电容元件用组合物、高介电率绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜层积电容、以及薄膜电容元件之制造方法

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本发明系具有c轴对於基板面呈实质垂直地进行配向之铋层状化合物之薄膜电容元件用组合物，前述铋层状化合物系藉由组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3所表示，前述组成式中之记号m系奇数，前述铋层状化合物之Bi及／或A之至少一部分系藉由稀土类元素所置换，相对於Vi及A之合计莫尔数(m+1)而使得前述稀土类元素之置换莫尔数大於1.0及2.8以下。