半导体组件及其制作方法

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本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其 利用一高温超导(High Temperature Surperconductor，HTS)层与 一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金 属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元 素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形 成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一 高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填 充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。