具有受吸气层保护的氢退化介电层的集成电容器件

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描述了一种集成器件，它包括一个由介电层隔开的第一和第二电极层形成的薄膜电容，介电层由可氢退化的化合物形成，其特征在于它进一步包括至少一层吸气层，吸气层由下列材料之一制成：锆、钒和铁组成的合金(可选地可含有少量锰和/或稀土元素)，或锆与铁、钴、镍至少其中之一组成的合金(可选地可含有至多15％(重量百分比)的稀土元素)。