一种在单晶硅片上制备稀土修饰石墨烯陶瓷复合薄膜的方法

文件类型：PDF文档
文件大小：415K
本发明涉及一种在单晶硅片上制备稀土修饰石墨烯陶瓷复合薄膜的方法，包括：(1)对单晶硅片的表面进行羟基化预处理；(2)配制稀土溶胶溶液，将石墨烯置于其中处理2-8h；(3)将上述处理后的单晶硅片浸入含有稀土修饰过的石墨烯的溶胶中，静置，将单晶硅片向上提拉出溶胶，干燥，烘干；(4)将步骤(3)所得的单晶硅片在80～100℃保温30～60min，升温至500～650℃，保温2～3h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单，成本低，对环境无污染，成膜性好；本发明的陶瓷复合薄膜致密、均匀，具有很好的减摩和抗磨损的特性。