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本发明涉及一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法,控制衬底的温度在0~500 ℃范围内,以氮气或氮气和氩气的混合气体作为溅射气体,真空条件下,对掺杂有稀土粉末 的金属镓进行磁控溅射,使设在靶位处的衬底沉积上稀土掺杂的氮化镓发光薄膜。本发明还 提供了一种制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的磁控溅射装置,包括真空室,真空室内设有可旋 转的衬底架和3~5个磁控靶,衬底架上装设有衬底,衬底设在磁控靶上方且使衬底面与磁 控靶面平行,每个磁控靶分别接直流电源阴极;磁控靶内设有冷却室,冷却室设有冷却介质 进口和出口。本发明具有沉积温度低、成膜面积大、膜—基附着力强、生长速率高、无污染、 掺杂工艺简单和无损伤等特点。