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本发明提供一种半导体装置, 例如一电晶体或电容。该装置包含 : 一基板; 一闸极介电层, 位於该基板之上; 及, 一导电性闸电极薄膜, 位於该闸极介电层之上。该闸极介电层, 包含一混合稀土铝氧化物薄膜、混合稀土铝氮化物薄膜或混合稀土铝氧氮化物薄膜, 此薄膜含有铝及至少2种不同的稀土金属元素。