无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器

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本发明公开了一种无需外加偏磁场的45°法拉 第旋转器。它的成分是(Re3－x－yYxBi y)(Fe5－zGaz)O 12晶体，其中，0＜x＜2，0＜y＜1，Re： 表示稀土大离子，所述的稀土大离子为 Eu3+、 Yb3+、 Sm3+。沿(Re3－x－yYxBi y)(Fe5－zGaz)O 12晶体晶轴方向切割、充磁后，使 其处于饱和磁化状态。本发明鉴于稀土大离子 Eu3+与Y3+离子有相反的磁致伸缩系数 和大的单离子磁晶各向异性， Bi3+离子能提高θf角， Ga3+离子进入四面体晶位在一 定范围内又能降低Ms值从而提高剩磁比和配合大稀土离子的 替代，因此生长(Re3－x－yYxBi y)(Fe5－zGaz)O 12晶体，沿其晶轴方向切割、充磁 后形成无需外加偏磁场使其处于饱和磁化状态的45°法拉第 旋转器，这将使光隔离器不需要外加偏磁场而结构微型化和解 决了在集成光学系统中对光隔离器外加偏磁场的困难。