用於半导体工业之氢化物气体纯化

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一种氢化物气体纯化的方法系使用含有至少一种镧系元素金属或镧系元素金属氧化物的材料。此方法将污染物减少至低於十亿分之100(100ppb)，较佳为10ppb，更佳为1ppb。此材料也可包含过渡金属与过渡金属氧化物、稀土元素及其他金属氧化物。本发明亦包括用於本发明方法之材料。